1. Wafer Backgrinding Wafer Thinning Wafer Lapping 晶片背面研磨
   1. 目的
      1. 減小晶片背面厚度以允許堆疊更高的IC
         1. 正面有集成電路，背面沒有
      2. 減少封裝高度，提高封裝密度
      3. 使整體wafer厚度下降，易於"切割"步驟
   2. 厚度
      1. 將直徑12吋wafer(直徑約300mm)厚度從750um研磨至300~35um
      2. 例子
         1. Logic Die thickness = 100um
            1. 因為線路結構複雜 所以厚度較厚
         2. DRAM die thickness = 50 um
         3. NAND die thickness = 30 um
   3. 方法
      1. 研磨參數
         1. 有4個spindle
            1. Z1/Z2/Z3/Z4 分別研磨不同厚度
            2. 研磨厚度&時間作圖
         2. 重要參數
            1. spindle parameter
            2. rotation speed
            3. down feed rate
            4. down position
            5. chuck table
            6. rotation speed
            7. Grinding Whell
            8. Wheel base
            9. Whell segment Grit Size
      2. 研磨流程
         1. 研磨花紋