1. DAG Dice After Grind
    1. saw dicing / blade dicing
      1. 便宜好用
      2. 有與wafer接觸，會導致下列現象
      3. chipping (切割晶片後的邊角缺陷) / residual stress / die crack for thin wafer / blade wearout
      4. 刀具沿著scribe line切削wafer
      5. 三個重要製成參數
        1. Spindle Speed
          1. 10000~40000RPM
        2. Feed Rate (Cut Rate) 進刀速度,unit=mm/s 越慢切割品質越好，但生產越慢
        3. Cut Depth 切深
          1. 通常是 "切穿wafer"+一點點mount tape
      6. 刀片將會切斷wafer且剪切到部分wafer tape，使Die還可以留在wafer tape上 最低scribe line寬度 80um
      7. chipping容易發生在wafer的切面的上下端 chipping point容易有應力集中 saw blade 切割wafer跟部分dicing tape
      8. 一般情況
      9. 需要 (刀片降溫，及移除切割碎屑)
      10. 會
    2. laser dicing using ablation
      1. 無與wafer接觸，所以沒有blade的四項缺點
      2. 需要
      3. 不會
      4. thin wafer / low-K wafer
      5. 費用較貴，用在下列特殊情況
      6. 聚焦wafer表面, wafer = solid
      7. heating
      8. melting, wafer = liquid
      9. evaporating, wafer = vapor
      10. Laser Grooving + Blade Full Cut
      11. Laser Full Cut
  2. DAG 補充
    1. blade type
      1. 有無輪轂比較
        1. Hub type
          1. 降低刀片震動(強化剛性)
          2. 使用鋁輪轂
        2. Hubless type
          1. 降低儲熱能力 / 使blade保持低溫
          2. serrated blade(鋸齒刀片) = slotted blade(開槽刀片)
          3. 因為有slot，所以有較好的散熱表現
          4. Thickness / Inner Diameter / Outter Diameter
      2. Hub Spec Information
        1. grit砂礫
          1. 定義
          2. 在blade上的微小粒子，切割材料用
          3. grit type
          4. 人工鑽石(synthetic diamond)、 氮化硼(boron nitride)是主要的材料
          5. grit size
          6. 2000/3000/3500 20um
          7. 越細chipping越小，切割速度慢
          8. grit concentration
          9. 刀片中的砂礫總量
          10. High concentration: 硬度高,損耗慢, 銳度低,切割慢,適合軟材料
          11. Low concentration: 硬度低,損耗快, 切割品質好,切割快,適合硬/脆材料
        2. bond hardness
          1. 使砂粒留在刀片中的粘結材料的硬度
        3. blade exposure
          1. 從hub算起暴露在外的blade長度
        4. blade thickness
          1. 影響kerf width
      3. bond type
        1. resin bond
          1. 樹脂 (resin)
          2. 快
          3. 高
          4. 有所限制
          5. 佳
          6. 小
          7. 快
          8. low
          9. 短
        2. metal bond
          1. 燒結金屬 (sintered metal)
          2. 耗損平均，切割品質固定
          3. 中
          4. 中
          5. 長
        3. electroformed bond electroplated bond
          1. 高
          2. 最薄
          3. 高
          4. 差
          5. 電鍍結合 (electroplated bond)
          6. 慢
          7. 耗損慢
          8. 長時間
          9. 短
    2. laser dicing using ablation 補充
      1. 兩種方法
        1. Laser Grooving + Blade Full Cut 先雷射後刀切
          1. 在7nm/5nm等晶片當中， 在不留下力學應力的情形下 移除易脆的Low-K材料
          2. 易脆的Low-K材料
        2. Laser Full Cut
          1. 用雷射切穿wafer
          2. wafer不應太厚，否則影響生產力
    3. laser dicing using ablation 補充
      1. Laser dicing 遇到的三大難題
        1. Surface debris
          1. 融化的表面碎屑被視為汙染， 需要用surface coating來保護， 但會增加成本
          2. 見右圖
        2. recast layer 重鑄層
          1. 雷射冷卻後， 熔化的wafer材料會沉積在scribe line邊緣， 看起來像一個小山丘，稱之為recast layer
          2. 它使晶片的表面形貌不均勻 (uneven surface morphology)， 從而給後續工藝帶來問題
          3. Nanosecond Laser 有HAZ現象(Micro Cracking...)
        3. Heat Affected Zone (HAZ)
          1. 為了解決HAZ問題， 我們偏向使用更短的脈衝laser解決問題 (ultrashort pulse laser)， 但成本更高
          2. nanosecond=>picosecond=>femto laser
          3. Picosecond laser 沒有Debris,沒有Recast Layer沒有HAZ現象
  3. DBG Dice Before Grind DBG過程是一種無需dicing就分離die的方法。separation發生在wafer grinding步驟中。
    1. stealth dicing process (隱形切割)
      1. 不用切削液，不會產生碎屑
      2. 可以切割非長方形晶片
      3. damage較小
      4. laser process
        1. 沿著預期的scribe line 將雷射光束引入wafer中的缺陷區域 形成SD layer (Stealth Dicing layer) 又可稱為modified layer
      5. separation
        1. "徑向擴展"下面的wafer tape以引起斷裂。
      6. 光束聚焦在晶圓的不同深度
      7. 不用
      8. 沒有
    2. Plasma dicing
      1. 平行切割，可以在同一時間切割所有晶片
      2. 可以切割非長方形晶片
      3. 不用
      4. 沒有
      5. RF filter / image sensor
      6. 最低scribe line寬度 = 10um
      7. scallops (扇貝)
        1. scallops (扇貝)，左邊是wafer
      8. wafer prepare
        1. mask coating
          1. plasma etching
          2. Sawn Die
  4. DBG補充
    1. Plasma dicing補充
      1. plasma etching
        1. 深反應離子蝕刻 DRIE(deep reactive ion etching) = Boach Process
          1. isotropic etching (Plasma 1:SF6)
          2. Passivation (Plasma 2:C4F8)
          3. Passivation etching
          4. isotropic etching (Plasma 1:SF6)
          5. ...
  5. 方法比較